合盛新资料8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
发布日期:2024-11-28 23:25:28 | 作者: 新闻中心
近来传来振奋人心的音讯,其8英寸导电型4H-SiC(碳化硅)衬底项目已满意完成全线贯通,标志着公司在第三代
历经五年的不懈努力与深耕细作,合盛新资料成功解锁了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料精密制备,到单晶碳化硅高效成长、再到高精度衬底加工的完好技能链条,逐个霸占了核心技能难题。这一成果不仅是企业技能实力的有力证明,更是对全球第三代半导体资料工业高质量开展的重要贡献。
跟着8英寸导电型4H-SiC衬底项意图全线贯通,合盛新资料将进一步稳固其内行业界的领头羊,推进第三代半导体资料的广泛使用,为新能源轿车、智能电网等前沿范畴的开展注入微弱动力。
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